一种掩模版及光刻机.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种掩模版及光刻机.pdf

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本发明提供了一种掩模版及光刻机。其中，掩模版包括曝光区域，和环绕在所述曝光区域外的非曝光区域，所述非曝光区域中设置有多个辅助图案，每个所述辅助图案包括多个间隔排列的条纹图形，其中，每个所述条纹图形的线宽小于光刻机的分辨率极限。在利用光刻机对该掩模版进行曝光时，即使存在杂散光会通过掩模版的非曝光区域的现象，然而由于辅助图案中的条纹图形未达到光刻机的分辨率而难以被识别，进而不会将辅助图案映射在晶圆上，从而有效解决光刻机因漏光带来的鬼影问题。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114326291 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111652270.7 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人上海华力微电子有限公司