一种LED外延片及其制备方法、LED芯片.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种LED外延片及其制备方法、LED芯片.pdf

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本发明涉及发光二极管外延片技术领域，具体而言，涉及一种LED外延片及其制备方法、LED芯片。所述的LED外延片包括在衬底表面依次层叠设置的N型半导体层、有源层、耗尽区层和P型半导体层；所述耗尽区层包括依次层叠设置的第一超晶格层和第二超晶格层；所述第一超晶格层包括周期性交替生长的AlN层和P型AlGaN层；所述第二超晶格层包括周期性交替生长的P型GaN层和P型InN层。所述第一超晶格层的势能高，可以阻挡电子，减少电子溢流；所述第二超晶格层提供空穴，以减少P型半导体层提供的空穴在耗尽区的能量损失，从

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335273 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111655190.7 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人淮安澳洋顺昌光电技术有限公司