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本发明涉及一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液,主要成分包括氢氟酸、氟化铵、表面活性剂和超纯水。本发明的蚀刻液中通过加入表面活性剂,表面活性剂具有优良的润湿性且低泡,能够降低蚀刻液的接触角大小,提高蚀刻液浸润性,同时降低表面张力,使蚀刻液与光刻胶下的二氧化硅薄膜接触良好,由于产生气泡量少,能够避免由于气泡导致的蚀刻不均匀问题,保持均匀蚀刻。本发明所述的蚀刻液浸润性优、表面张力低、气泡少,能够均匀蚀刻光刻胶下的二氧化硅薄膜,不产生二氧化硅残留,且对光刻胶无影响。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114350367 A
(43)申请公布日 2022.04.15
(21)申请号 202111544337.5
(22)申请日 2021.12.16
(71)申请人 湖北兴福电子材料有限公司
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