三维存储器及其制造方法、存储系统.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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三维存储器及其制造方法、存储系统.pdf

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本公开涉及一种三维存储器及其制造方法、存储系统。该三维存储器包括交替堆叠的栅极层和绝缘层，三维存储器在堆叠的方向的垂面内划分有：第一存储结构；第二存储结构，与第一存储结构间隔设置；桥接结构，设置于第一存储结构和第二存储结构之间，并连接第一存储结构和第二存储结构中的至少一个，桥接机构沿堆叠的方向包括堆叠设置的至少两个墙体；以及复合台阶结构，设置于第一存储结构和第二存储结构之间，其中，复合台阶结构中的至少一个台阶通过桥接结构电连接至第一存储结构和第二存储结构中的至少一个。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334991 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111682033.5 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请日