一种适用于UVC-LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构及制作方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约9.29千字
约 7页
2023-05-06 发布于北京
举报
版权申诉

一种适用于UVC-LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构及制作方法.pdf

1、本文档共7页，其中可免费阅读6页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请公开了一种适用于UVC‑LED的纳米级图形化蓝宝石衬底结构及制作方法，首先清洁蓝宝石衬底并在衬底表面设置SiO2膜层，接着在SiO2膜层上设置光刻胶膜层，并通过光刻、显影的方式在SiO2膜层上形成周期不超过1000nm的光刻胶环形掩膜，然后采用BOE溶液在SiO2膜层上腐蚀形成凹坑，并通过干法刻蚀在凹坑处继续向下腐蚀，在蓝宝石衬底表面形成倒锥形凹坑，最后继续用BOE溶液腐蚀掉蓝宝石衬底表面残余的SiO2膜料，并将得到的纳米级图形化蓝宝石衬底清洗干净。通过本申请方法可制备得到目标纳米级图形化

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335280 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111637650.3 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人湘能华磊光电股份有限公司