一种利用无机分子晶体集成的复合介电层及制备和应用.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种利用无机分子晶体集成的复合介电层及制备和应用.pdf

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本发明涉及一种利用无机分子晶体集成的复合介电层及制备和应用，属于半导体器件技术领域。方法包括以下步骤：(1)将无机分子晶体生长在材料表面；(2)在该无机分子晶体层上进一步利用原子层沉积生长介电材料。本发明以无机分子晶体材料为源，所得分子晶体层对于介电材料原子层沉积的前驱体具有良好的润湿性与吸附性，可实现在材料表面的介电层集成。无机分子晶体层和介电材料的厚度可控，可用于高性能电子器件的制备，易于实现规模化制备和集成。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334637 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111639579.2 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人华中科技大学地址