基于自校准的多端口S参数去嵌方法、装置及电子设备.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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基于自校准的多端口S参数去嵌方法、装置及电子设备.pdf

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本发明提供基于自校准的多端口S参数去嵌方法、装置及电子设备，包括：对探针尖端面的S参数进行在片校准并测量得到多端口的S参数矩阵；测量负载标准件的直流电阻；获取预设去嵌结构的S参数；根据去嵌结构的S参数和直流电阻得到待去嵌转接引线及焊盘的两端口S参数；将多端口的S参数矩阵处理得到校准的两端口S参数；基于校准的两端口S参数和待去嵌转接引线及焊盘的两端口S参数得到待测器件的两端口S参数，并对所有待测器件的两端口S参数进行处理得到待测器件的多端口S参数。本发明无需知道去嵌结构的模型参数，有效减少去嵌过程

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114325201 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202210019991.2 (22)申请日 2022.01.10 (71)申请人浙江铖昌科技股份有限公司