一种用于3D封装的散热互连形成方法.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.29万字
约 13页
2023-05-06 发布于北京
举报
版权申诉

一种用于3D封装的散热互连形成方法.pdf

1、本文档共13页，其中可免费阅读12页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明涉及一种用于3D封装的散热互连形成方法，包括：提供第一有源硅晶圆，其具有正面和与正面相对的背面；在第一有源硅晶圆中形成具有第一孔径的第一硅通孔和具有第二孔径的第二硅通孔，其中第一孔径大于第二孔径；用金属填充第一硅通孔和第二硅通孔；在第一有源硅晶圆的正面形成第三介质层；形成电连接且热连接第一硅通孔和第二硅通孔的第一金属互连线；以及将第一有源硅晶圆和第二有源硅晶圆混合键合以形成第一键合对。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334805 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111600066.0 H01L 23/48 (2006.01) (22)申请日 2