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本发明公开了一种覆有阳模的废弃小尺寸硅片清洗回收工艺,对于芯片结构简单、SU‑8结构细窄、阳模覆盖较少的硅片,经过使用本发明的清洗方法后,与新硅片使用无差异。对反复清洗不掉的高通道、复杂结构,本发明使用机械力破坏的方式进行清理。前面步骤中,丙酮浸泡与丙酮超声清洗后,丙酮能够溶解SU‑8成分并浸润到SU‑8胶与硅片之间,SU‑8胶与硅片的附着力度降低,在外加作用力作用下易脱落进,铲除操作应该在丙酮超声清洗后进行。如果不进行此操作,可能经过后续操作SU‑8依然附着在硅片上,去除SU‑8也可以大大提高
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114308872 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 202111601534.6
(22)申请日 2021.12.24
(71)申请人 南通大学
地址 22
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