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本发明涉及复合基板的制备技术领域,公开一种复合基板的制备装置及复合基板的制备方法。其中复合基板的制备装置包括:物理气相沉积腔室,为第一真空腔室且其内设有物理气相沉积组件,物理气相沉积组件能够对基板本体的表面进行物理气相沉积并形成镀层;键合腔室,能够与物理气相沉积腔室连通或者隔绝且为第二真空腔室,键合腔室内设有加压组件;移动组件,移动组件能够将物理气相沉积腔室内带镀层的基板本体转移至键合腔室内,加压组件能够将至少两个镀膜后的基板本体键合形成复合基板。本发明公开的复合基板的制备装置,具有稳定性好、材
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114318286 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 202210100410.8
(22)申请日 2022.01.27
(71)申请人 北京青禾晶元半导体科技有限责任
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