大尺寸钼溅射靶材及采用化学气相沉积法的制备工艺.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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大尺寸钼溅射靶材及采用化学气相沉积法的制备工艺.pdf

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本发明属于钼溅射靶材技术领域，具体涉及一种大尺寸钼溅射靶材及采用化学气相沉积法的制备工艺。所述大尺寸钼溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：将钼与三氟化氮在高温条件下反应，制备出粗品六氟化钼；对所述粗品六氟化钼经真空蒸馏法和吸附法提纯后，得到高纯度六氟化钼；采用化学气相沉积法，用还原气体将高纯度六氟化钼还原成金属钼；将金属钼沉积到基体材料上，一步法生产出大尺寸钼溅射靶材。本发明制作的超高纯钼溅射靶材以高纯三氟化氮、高纯钼粉和还原气体(氢气)为原料，在化学气相沉积设备中一步完成，反应过程为连续气相反应

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114318256 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111621882.X (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人亚芯半导体材料（江苏）有限公司