鳍结构的形成方法、FinFET器件及其形成方法.pdfVIP

鳍结构的形成方法、FinFET器件及其形成方法.pdf

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本发明提供一种鳍结构的形成方法、FinFET器件及其形成方法,该鳍结构的形成方法包括:提供一衬底,衬底上具有鳍片,鳍片为上窄下宽结构,鳍片具有竖直部及倾斜部,竖直部的顶面具有掩模层;执行离子注入工艺以改变至少部分倾斜部的材质;执行蚀刻工艺以去除被离子注入的倾斜部,蚀刻工艺中被离子注入的倾斜部的蚀刻速率大于竖直部的蚀刻速率。本发明中,通过对鳍片的倾斜部执行离子注入工艺,以使离子注入的倾斜部的材质发生改变,使其材质不同于未离子注入的鳍片,并据此在蚀刻工艺中利用两者的刻蚀选择性去除离子注入的倾斜部,以

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334634 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111681692.7 H01L 29/10 (2006.01)

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