一种具有可调栅压结构的SiC MOSFET重复短路测试方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种具有可调栅压结构的SiC MOSFET重复短路测试方法.pdf

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本发明公开了一种具有可调栅压结构的SiCMOSFET重复短路测试方法，包括母线电容组、SSCB保护电路、待测器件接口及驱动电路及驱动电压调节电路。其中，母线电容组通过断路器S1与高压直流源连接，SSCB保护装置、待测器件DUT以及母线电容组共同组成短路测试回路，短路信号由信号发生器输入至驱动芯片，通过驱动电阻R1传输至DUT，驱动电压调节电路由隔离电源模块输出，经过Buck‑Boost调节电路连接至驱动芯片副边的供电引脚，调压电路中的R1、R2的中点FB连接至调压芯片的反馈引脚FB，Buck‑

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114325285 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111683016.3 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人浙江大学杭州国际科创中心