一种半导体器件及其制备方法和三维存储器.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种半导体器件及其制备方法和三维存储器.pdf

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本发明公开了提供一种半导体器件及其制备方法和三维存储器，该半导体器件包括堆叠结构、沿第一方向贯穿堆叠结构的沟道结构和分别位于沟道结构两端的源极和漏极。该沟道结构包括存储体、介电层和沟道层。存储体沿所述第一方向延伸，且具有第一侧壁、靠近所述源极的第一端和与所述漏极连接的第二端。介电层包围存储体的第一端和第一侧壁，沟道层围绕介电层且连接源极和漏极，因此介电层将存储体与沟道层和源极隔开，可以抑制无操作状态下存储体中空穴的泄露，从而提高空穴保持能力，进而提高半导体器件的存储能力。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334981 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111647267.6 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人长江存储科技有限责任公司