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AlGaN材料的生长方法.pdfVIP

AlGaN材料的生长方法.pdf

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    本申请提供了一种AlGaN材料的生长方法，该方法包括：向包括AlGa溶液的反应室中通入氮气；对氮气进行电离，使得电离得到的氮离子的部分溶解在AlGa溶液中；采用晶体提拉法从溶解有氮离子的AlGa溶液中得到AlGaN材料。相比现有技术中MOCVD以及MBE等方法制备AlxGa1‑xN材料来说，本申请采用氮气电离反应生成氮离子溶于AlGa溶液后生成AlGaN材料，这种方法所需条件简单，制备成本较低，所需反应温度较低，单AlGaN材料的制备速度快，产量高，较好地解决了现有技术中AlGaN材料的制备成本

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114318502 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111675755.8 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人 武汉

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