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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种Nord闪存器件的制作工艺。该工艺包括步骤:在衬底上制作由下至上依次层叠的多晶硅浮栅层、多晶硅间介质层和多晶硅控制栅层;刻蚀多晶硅控制栅层,使得多晶硅控制栅层中开设形成第一窗口;依照带有第一窗口的多晶硅控制栅层的表面形貌,沉积浮栅氮化硅层;刻蚀浮栅氮化硅层,使得浮栅氮化硅层中开设形成第二窗口;依照带有第二窗口的浮栅氮化硅层的表面形貌,沉积氧化物层;刻蚀氧化物层;通过酸洗液去除位于第一窗口位置处的多晶硅间介质层,以及位于第一窗口侧壁位置处的氧化物和
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114334989 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 202210104685.9
(22)申请日 2022.01.28
(71)申请人 华虹半导体(无锡)有限公司
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