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本发明涉及一种用于制作GaNHEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法,方法包括:获取两片多晶金刚石,通过抛光将多晶金刚石的其中一面抛光成光滑面;获取GaN单晶晶片,通过抛光将GaN单晶晶片的两面均抛光成光滑面,其中,GaN单晶晶片的光滑面为非极性面;利用低温键合工艺将两片多晶金刚石的光滑面分别与GaN单晶晶片的两个光滑面进行键合,以得到横向多晶金刚石/GaN/多晶金刚石衬底。本发明改善了传统GaN外延衬底的散热能力,并能提高外延GaN的质量,并进一步提高了器件的工作寿命和稳定性,从而
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114361013 A
(43)申请公布日 2022.04.15
(21)申请号 202111387283.6
(22)申请日 2021.11.22
(71)申请人 西安
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