一种晶圆的离子注入方法.pdfVIP

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2023-05-06 发布于北京
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一种晶圆的离子注入方法.pdf

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本发明提供一种晶圆的离子注入方法，包括以下步骤：将晶圆放置于离子注入机台的晶圆耙盘上；对晶圆依次进行N次离子注入直至达到预设离子注入剂量，其中，N为大于1的整数，且每次离子注入完毕之后，先将晶圆绕晶圆的中心轴往同一方向旋转360/N度后再进行下一次离子注入，所述中心轴经过晶圆的中心，且垂直于晶圆所在平面。本发明的晶圆的离子注入方法对离子注入工艺的流程进行了改进，将离子注入过程分为多次进行，每次离子注入完毕后，将晶圆旋转360/N度后再进行下一次离子注入，可以有效消除束流微小角度偏差给产品带来的影

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334633 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111539094.6 (22)申请日 2021.12.15 (71)申请人杭州富芯半导体有限公司