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2023-05-06 发布于北京
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MOS晶体管.pdf

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本发明提供了一种MOS晶体管，包括：衬底；位于衬底内并且相邻设置P型阱区和N型阱区；位于P型阱区上的浮栅、位于P型阱区内的bulk端和第一保护二极管，浮栅与第一保护二极管的N极连通，第一保护二极管的P极与bulk端连通；位于N型阱区内的第二保护二极管，第二保护二极管与第一保护二极管并联，且第一保护二极管的N极与第二保护二极管的P极连通，第一保护二极管的P极与第二保护二极管的N极连通。等离子体产生的电流如果为正，电流通过第二保护二极管，保护了栅极不受等离子体电流的作用而被损坏。如果为负，电流通过第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114334954 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111626376.X (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人上海华力微电子有限公司