一种具有渐变掺杂沟道的SiC MOSFET器件及其制备工艺.pdfVIP

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2023-05-06 发布于四川
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一种具有渐变掺杂沟道的SiC MOSFET器件及其制备工艺.pdf

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本发明公开了一种具有渐变掺杂沟道的SiCMOSFET器件及其制备工艺，所述SiCMOSFET器件包括SiC漂移区、P型体区、源极N型掺杂区、栅极氧化层、源极金属和栅极，P型体区形成于SiC漂移区表面的两侧，源极N型掺杂区形成于P型体区上，且至少部分未覆盖住P型体区，栅极氧化层部分形成于SiC漂移区上，部分形成于P型体区上，且部分形成于源极N型掺杂区上；源极金属形成于源极N型掺杂区上且靠近源极N型掺杂区的外侧边设置，SiC漂移区上被栅极氧化层覆盖住的位置处的掺杂浓度低于源极N型掺杂区被栅极氧化

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335161 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111642611.2 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人深圳