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具多阶型存储器胞阵列的非易失性存储器及编程控制方法。该非易失性存储器包括一存储器胞阵列、一电流供应电路、一路径选择电路、一验证电路与一控制电路。在一验证动作的一采样区间时,该控制电路控制该电流供应电路提供n个第M参考电流至该n个验证元件,并转换为n个参考电压。在该验证动作的一验证区间时,该控制电路控制一选定行的n个多阶型存储器胞产生n个存储器胞电流至该n个验证元件,并转换为n个感测电压。该n个验证元件根据对应的该参考电压与对应的该感测电压,产生该n个验证信号,使得该控制电路决定该n个多阶型存储器
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114360616 A
(43)申请公布日 2022.04.15
(21)申请号 202110668224.X
(22)申请日 2021.06.16
(30)优先权数据
63/090,76
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