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本发明公开了一种基于二值忆阻器串并联的三值忆阻器构建方法。本发明通过对二值忆阻器模型的参数特性进行分析,发现两个二值忆阻器阻值状态发生转变的时间点不同会使串并联电路等效为三值忆阻器,而忆阻器的参数不同时或反向连接时都有可能使两个二值忆阻器的阻值状态发生改变的时间点不同。因此可将二值忆阻器串并联电路分为以下六种分别构建三值忆阻器。本发明是基于二值忆阻器构建出三值忆阻器,相比于普通的三值忆阻器的构建方法,本发明使得三值忆阻器实物器件的实现具有更大的可能性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114330222 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 202111645442.8
(22)申请日 2021.12.30
(71)申请人 杭州电子科技大学
地址
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