发光二极管制作方法及其发光二极管.pdfVIP

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2023-05-06 发布于四川
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发光二极管制作方法及其发光二极管.pdf

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本申请提供了一种发光二极管制作方法及其发光二极管，属于发光二极管技术领域，解决了现有技术中存在的由于难以形成欧姆接触而影响发光二极管发光效率的问题。发光二极管制作方法包括提供一设置有外延结构的衬底，外延结构至少包括沿背离于衬底方向依次层叠设置的P型掺杂GaN层、透明导电层以及HfO2层；在氮气气氛下，对HfO2层进行退火处理,以使HfO2层界面两侧的电负性差异减小；在HfO2层上蒸镀第一电极。本申请通过在透明导电层与第一电极之间插入HfO2层，达到提高第一电极与外延结构之间的欧姆接触性能的效果。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114335271 A (43)申请公布日 2022.04.12 (21)申请号 202111614683.6 C23C 14/58 (2006.01)