存储器的制作方法、存储器及存储器系统.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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存储器的制作方法、存储器及存储器系统.pdf

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本申请提供一种存储器的制作方法、存储器及存储器系统，该存储器的制作方法包括：在衬底上形成第一停止层；在该第一停止层中形成凹槽，该凹槽贯穿该第一停止层并延伸至该衬底内；在该第一停止层上形成第二停止层，该第二停止层覆盖该凹槽的内壁；在该第二停止层上形成堆栈层，该堆栈层中形成有贯穿该堆栈层且延伸至该衬底内的存储沟道结构；在该堆栈层中形成栅极缝隙，该栅极缝隙贯穿该堆栈层和该凹槽内的该第二停止层，并延伸至该衬底内；在该堆栈层中形成栅极结构，并在该栅极缝隙中形成栅极缝隙结构，从而能在栅极置换工艺中防止第一停

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114388527 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202210021158.1 (22)申请日 2022.01.10 (71)申请人长江存储科技有限责任公司