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2023-05-07 发布于北京
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半导体结构.pdf

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本发明提供了一种半导体结构。通过设置倒L型接触结构，并使倒L型接触结构的突出部朝向邻近的浅沟渠隔离结构突出，以及至少在倒L型接触结构远离主动区域的一侧设置有至少两层电介质层，该倒L型的接触结构具有特殊的形状，此形状有助于稳固形成在倒L型的接触结构侧边的第一电介质层与第二电介质层，并且提升半导体结构的稳定性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114388465 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202210062083.1 (22)申请日 2020.06.19 (62)分案原申请数据 2020105