一种单晶二维半导体碲化钼薄膜与任意晶格失配单晶基底异质集成的方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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一种单晶二维半导体碲化钼薄膜与任意晶格失配单晶基底异质集成的方法.pdf

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本发明公开了一种单晶二维半导体碲化钼薄膜与任意晶格失配单晶基底异质集成的方法。本发明突破了传统外延工艺异质集成不同种类单晶材料的必要条件——晶格匹配，利用化学气相沉积法制备的2H‑MoTe2具有横向外延相变的特殊生长机制，通过控制温度和时间使得单晶二维半导体碲化钼薄膜可以与任意单晶衬底直接生长集成，而不受到晶格匹配的限制。由此获得的异质集成结构可以同时利用碲化钼的半导体特性和基底的物理特性，提高器件的性能和增强器件功能化。并且，该方法适用于大面积制备，可以实现集成化的光电器件阵列的制备，为实现晶

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114373828 A (43)申请公布日 2022.04.19 (21)申请号 202110370754.6 (22)申请日 2021.04.07 (71)申请人北京大学地址 10