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本发明提出了一种离子注入增强多层薄膜硅化物方法。所述离子注入增强多层薄膜硅化物方法是穿过半导体硅衬底上已沉积形成的单层或多层金属薄膜，对所述单层或多层金属薄膜进行氩离子轰击，从而穿过所述单层或多层金属薄膜在欧姆接触区表面上形成硅化物层。具体包括：步骤1、在晶向为100的硅晶片上形成半导体器件区域；步骤2、在所述半导体器件区域的半导体硅衬底上形成单层或多层金属膜；步骤3、穿过所述单层或多层金属膜对所述硅晶片衬底进行氩离子轰击，在欧姆接触区表面上形成硅化物层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114373678 A
(43)申请公布日 2022.04.19
(21)申请号 202210028297.7
(22)申请日 2022.01.11
(71)申请人 弘大芯源（深圳）半导体有限公司
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