含有多元羧酸的、药液耐性保护膜.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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本发明提供在半导体基板加工时具有耐湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法。一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：(A)包含至少3个羧基的化合物、(B)树脂或单体、和溶剂。优选上述(A)包含至少3个羧基的化合物具有环结构。优选上述环结构选自碳原子数6～40的芳香族环、碳原子数3～10的脂肪族环和杂环。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114402009 A (43)申请公布日 2022.04.26 (21)申请号 202080064632.8 (74)专利代理机构北京市中咨律师事务所