半导体激光器阵列巴条制作方法及半导体激光器阵列巴条.pdfVIP

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2023-05-07 发布于四川
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半导体激光器阵列巴条制作方法及半导体激光器阵列巴条.pdf

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本发明提供一种半导体激光器阵列巴条制作方法及半导体激光器阵列巴条，主要解决现有激光器阵列巴条存在光束质量较差以及容易烧毁的问题。该方法在外延晶体表面层进行刻蚀，形成表面脊条结构，脊条宽度控制在1‑5微米，两脊之间间距大于5微米，以上设置不仅提高了阵列巴条的功率，而且使其光束质量远超宽条单管器件的光束质量，同时本发明方法在巴条边缘形成多次台阶，并覆盖绝缘层氧化膜层，此台阶及绝缘介质层避免了焊料溢出引发的微短路而导致器件烧毁的问题。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114400496 A (43)申请公布日 2022.04.26 (21)申请号 202111582518.7 (22)申请日 2021.12.22 (71)申请人西安立芯光电科技有限公司