一种促进霍山米斛生根的培养基及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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一种促进霍山米斛生根的培养基及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种促进霍山米斛生根的培养基的制备方法，包括以下步骤:步骤一、配制生根剂：通过向1,8‑萘二甲酸酐的甲苯溶液中滴加N,N‑二甲基‑1,3‑丙二胺，回流反应，得到萘酐酰胺类主促进剂，然后向萘酐酰胺类主促进剂中添加以1‑萘乙酸为原料的副促进剂，混匀，得到培养基生根剂；步骤二、配制生根基质：将蛭石、珍珠岩和泥炭，混合均匀，灭菌，冷却至室温，制备得到生根基质；步骤三、将生根剂与生根基质按照重量比在无菌条件下混匀，加入到琼脂中，得到培养基；本发明在萘酐酰胺类主促进剂和1‑萘乙酸副促进剂的配合下

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114375799 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202111433102.9 A01P 21/00 (2006.01) (22)申请日 2