一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约8.6千字
约 9页
2023-05-07 发布于北京
举报
版权申诉

一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法.pdf

1、本文档共9页，其中可免费阅读8页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种铸锭单晶或多晶硅异质结太阳能电池片的制备方法，所述方法包括如下步骤：用湿化学溶液清洗硅片，去除表面的油污、金属颗粒以及其他杂质；硅片表面沉积一层N型非晶或微晶硅氧薄膜并进行一系列退火处理；进行表面清洗，并去除表面非晶或微晶硅氧薄膜；进行表面制绒；进行氢处理；进行非晶硅或微晶层镀膜，形成有效的PN结发射层和背电场；在硅片薄膜层的正反面分别生成透明导电膜层；在硅片正反面的透明导电膜层上形成栅线电极，完成制作流程。本发明中进行退火处理，有利于钝化晶界和提升少子寿命，将体硅中晶粒位错进行

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114388638 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202011131573.X (22)申请日 2020.10.21 (71)申请人福建新峰二维材料科技有限公司