半导体结构的形成方法以及掩膜版.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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半导体结构的形成方法以及掩膜版.pdf

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一种半导体结构的形成方法以及掩膜版，形成方法包括：提供基底，包括目标层；在基底上形成核心材料层，包括第一区域以及环绕第一区域的第二区域；对第二区域的核心材料层进行离子掺杂，适于提高核心材料层的耐刻蚀度，位于第二区域的核心材料层作为抗刻蚀层，位于第一区域的核心材料层作为核心层；形成沿第一方向贯穿至少部分第一区域核心材料层的第一沟槽，在第二方向上第一沟槽的两侧保留有部分第一区域的核心材料层；在第一沟槽的侧壁上形成侧墙，使侧墙围成第一凹槽；去除核心层，形成第二凹槽；以抗刻蚀层和侧墙为掩膜，刻蚀第一凹槽

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114388430 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202011137109.1 (22)申请日 2020.10.22 (71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限