半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成目标图形的目标层；在基底上形成沿第一方向延伸的核心层，与第一方向垂直的方向为第二方向；在核心层的侧壁上形成侧墙，核心层和位于核心层侧壁的侧墙构成图形结构层；在基底上形成沿第二方向横跨图形结构层的牺牲层，牺牲层至少覆盖图形结构层的部分顶部以及部分侧壁；在牺牲层和图形结构层露出的基底上形成平坦层；去除牺牲层，在平坦层中形成第一凹槽，第一凹槽位于图形结构层的两侧；去除核心层，使侧墙围成第二凹槽；以平坦层和侧墙为掩膜，刻蚀第一凹槽和第二凹槽下

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114388431 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202011137111.9 (22)申请日 2020.10.22 (71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限