一种单晶硅片背表面与氧化铝介面改性优化的方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于四川
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一种单晶硅片背表面与氧化铝介面改性优化的方法.pdf

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本发明公开了一种单晶硅片背表面与氧化铝介面改性优化的方法，涉及太阳能光伏电池制造技术领域。该方法依次包括以下步骤：将单晶硅片背表面置于蚀刻液中蚀刻，减薄量控制在2.47～2.82μm；所述的蚀刻液包括酸液和添加剂，酸液和添加剂的体积比为100:0.7～1.2；所述的酸液由硝酸、氢氟酸和水组成；所述的添加剂由以下质量分数成分组成：亚硝酸钠0.1～0.5％、酒石酸0.1～0.5％、柠檬酸钠0.1～0.5％、二甲基亚砜0.1～0.5％、十二烷基苯磺酸钠0.1～0.5％，余量水；蚀刻完成后，采用背钝化工

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114400272 A (43)申请公布日 2022.04.26 (21)申请号 202111600361.6 C23C 16/02 (2006.01)