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本公开涉及一种半导体装置及其制备方法。该半导体装置的制备方法,包括:提供一基底,其包括一阵列区和与该阵列区相邻的一周边区;在该阵列区中形成多个字元线结构、多个源/漏极区、以及一字元线保护层;在该阵列区上形成一第一硬遮罩层,其在邻近该阵列区与该周边区的边界处具有一高度差;以该第一硬遮罩层作为图形引导,形成一位元线接触插塞,其在该阵列区且位于所述字元线结构之间;以及在该周边区上形成一栅极层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114388433 A
(43)申请公布日 2022.04.22
(21)申请号 202111060467.1
(22)申请日 2021.09.10
(30)优先权数据
17/074,87
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