批量晶圆的处理方法、蚀刻系统及存储介质.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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批量晶圆的处理方法、蚀刻系统及存储介质.pdf

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本申请公开了一种批量晶圆的处理方法、蚀刻系统及存储介质，属于半导体加工技术领域。所述方法包括：在批量晶圆的处理之前，使用无晶圆清洗基线对反应室的腔室进行无晶圆清洗，在清洗后对批量晶圆中的第一个产品晶圆进行蚀刻并检测工艺性能是否符合工艺规范；若不符合，对无晶圆清洗基线的清洗强度进行调整，使用调整后的无晶圆清洗基线对腔室进行无晶圆清洗后，对第二个产品晶圆进行蚀刻并检测工艺性能是否符合工艺规范；若符合，根据调整后的无晶圆清洗基线对批量晶圆依次进行蚀刻。如此，可以预先优化无晶圆清洗强度，使得优化后的无晶

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114388403 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202111363920.6 (22)申请日 2021.11.17 (71)申请人深圳市艾德光子有限公司