一种半导体结构的制备方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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一种半导体结构的制备方法.pdf

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本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成金属层及图形化的光刻胶层，所述金属层包含铜和铝；判断所述图形化的光刻胶层是否需要返工；当判定所述图形化的光刻胶层需要返工时，依次执行灰化工艺及湿法清洗工艺，以去除所述图形化的光刻胶层；对所述衬底执行退火工艺。通过在光刻返工后增加一步退火工艺，使所述金属层中在灰化工艺中由于温度变化产生的难以刻蚀的铝的theta相转化为其它容易刻蚀的空间结构，均匀所述金属层各处的刻蚀速度，避免出现金属残留及小丘缺陷。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114373673 A (43)申请公布日 2022.04.19 (21)申请号 202210165374.3 (22)申请日 2022.02.18 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司