3D存储器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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3D存储器件及其制造方法.pdf

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本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成绝缘叠层，绝缘叠层包括交替堆叠的多个牺牲层和多个层间绝缘层；去除多个牺牲层以形成牺牲缝隙；将多个层间绝缘层替换为多个绝缘应力层；在牺牲缝隙中形成栅极导体层，绝缘应力层的应力小于层间绝缘层的应力。本申请通过对层间绝缘层进行蒸汽退火处理以得到应力更小的绝缘应力层替换层间绝缘层，可以调整晶圆沿第一方向(例如X方向)的弯曲度，以使得3D存储器件在各阶段的中间器件的弯曲度不超过机台的极限值。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114373770 A (43)申请公布日 2022.04.19 (21)申请号 202111622741.X (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人长江存储科技有限责任公司