一种等离子体处理装置及其气体喷淋环的制作方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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一种等离子体处理装置及其气体喷淋环的制作方法.pdf

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本发明公开了一种等离子体处理装置及其气体喷淋环的制作方法，该装置包含：真空反应腔；上电极组件，位于真空反应腔顶部；下电极组件，位于真空反应腔底部，所述下电极组件和上电极组件相对设置，所述下电极组件包含一承载面，用于承载晶圆；气体喷淋环，环绕设置在下电极组件的外侧，所述气体喷淋环包含若干个气体供应孔，所述气体供应孔与一反应气体输送装置相连，用于将反应气体输送到所述真空反应腔内部，以在所述上电极组件和所述下电极组件之间产生等离子体。其优点是：该装置通过气体喷淋环实现反应气体的输送，不会因为上电极组件

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114388322 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202011118203.2 (22)申请日 2020.10.19 (71)申请人中微半导体设备（上海）股份有限公