一种半导体器件的制备方法及半导体器件.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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一种半导体器件的制备方法及半导体器件.pdf

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本发明公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，所述制备方法包括提供衬底，在所述衬底的上形成堆叠层，所述堆叠层具有与所述衬底接触的第一表面，形成沿第一方向贯穿所述堆叠层且延伸至所述衬底内的沟道结构，所述沟道结构包括沟道层和围绕所述沟道层的存储层，去除所述衬底，以暴露出所述沟道结构的部分所述存储层，去除暴露的所述部分存储层，以露出部分所述沟道层形成沟道层外接部，以及形成位于所述堆叠层的所述第一表面的共源极层，所述共源极层与所述沟道层外接部连接。因此该制备方法可以取代SEG和IMP的工艺，且工艺难

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114388526 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202210020410.7 (22)申请日 2022.01.10 (71)申请人长江存储科技有限责任公司