基于集成电路工艺的微纳光学器件制作方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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基于集成电路工艺的微纳光学器件制作方法.pdf

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本发明公开了基于集成电路工艺的微纳光学器件制作方法，包括微纳光学器件和掩模版，掩模版最小图形单元尺寸为4微米，线条每次加宽或缩窄0.1微米，微纳光学元件的相位数据根据设计目标的光场能量分布进行计算，入射光束为高斯光束或平行光束，微纳光学器件使用光学玻璃基板制作，其对波长为532纳米或633纳米的光具有较高透过率，蚀刻采用感应耦合等离子体刻蚀技术，在刻蚀一定深度后，在玻璃基板材料侧壁生成一层钝化层，在形成钝化保护层后，重复刻蚀过程，刻蚀气体将同时刻蚀纵向的玻璃基板与钝化层，本制作方法基于现有的集成

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114371598 A (43)申请公布日 2022.04.19 (21)申请号 202111559438.X (22)申请日 2021.12.20 (71)申请人无锡中微掩模电子有限公司