一种具有高隔离度和高线性度的双平衡混频器芯片.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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一种具有高隔离度和高线性度的双平衡混频器芯片.pdf

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本发明公开了一种具有高隔离度和高线性度的双平衡混频器芯片，包括本振巴伦、射频巴伦、两个本振阻抗匹配网络、两个射频阻抗匹配网络、肖特基二极管混频核、中频滤波网络；其中，所述本振巴伦通过两个所述本振阻抗匹配网络与所述肖特基二极管混频核连接，所述射频巴伦通过两个所述射频阻抗匹配网络与所述肖特基二极管混频核连接，所述射频巴伦与中频滤波网络连接。本发明通过对肖特基二极管混频核和中频滤波网络拓扑结构的改变，优化了混频器的线性度和RF－IF隔离度，改变了电路拓扑结构，从而优化了混频器的整体性能，提高了芯片实用

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114389542 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202210021179.3 (22)申请日 2022.01.10 (71)申请人西安博瑞集信电子科技有限公司