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本申请提供了一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法,所述方法包括将碳化硅晶片置于刻蚀腔中,使用微波等离子体刻蚀碳化硅晶片的碳面;刻蚀至预设时间后,将所述碳化硅晶片从刻蚀腔中取出,用去离子水和酒精超声清洗;根据所述碳化硅晶片碳面的刻蚀坑的形貌和截面,确定缺陷类型。该方法通过刻蚀C面形成刻蚀坑,根据刻蚀坑的形貌和截面信息可以准确辨认微管及不同类型的位错;同时,对于衬底材料可以和Si面位错情况进行对比,从而直接观察位错在生长过程中的行为;对于外延材料可以和外延表面对比位错情况,进而研究位错的增值和转
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114384051 A
(43)申请公布日 2022.04.22
(21)申请号 202111551300.5
(22)申请日 2021.12.17
(71)申请人 山东
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