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本申请公开一种基于等离子体刻蚀的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法，包括准备压电晶圆和衬底基板，其中，所述压电晶圆为铌酸锂晶圆或钽酸锂晶圆；利用离子注入‑键合法或者键合‑研磨抛光法，制备得到单晶压电复合薄膜，其中，所述单晶压电复合薄膜包括依次层叠的衬底基板和目标厚度的薄膜层；对所述单晶压电复合薄膜中薄膜层进行等离子体刻蚀处理，其中，所述等离子体刻蚀处理所使用的等离子体包括还原性等离子体和/或惰性等离子体；对黑化后的薄膜层研磨抛光处理，得到黑化单晶压电复合薄膜。通过等离子体刻蚀方法对薄膜层处理，使薄
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114388688 A
(43)申请公布日 2022.04.22
(21)申请号 202111641490.X H01L 41/18 (2006.01)
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