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本发明公开了一种薄膜太阳能电池片及其制备方法，该方法包含：步骤1，镀铝：在硅衬底上镀一层铝膜并退火；步骤2，制作硅基多孔氧化铝膜；步骤3，硅刻蚀：以硅基多孔氧化铝膜正面为掩膜，对硅衬底进行刻蚀；步骤4，去除掩膜：将硅衬底放入磷酸溶液浸泡，去除剩余的多孔氧化铝膜，得到硅模板；步骤5，防粘处理：将硅模板正面在全氟癸基‑三氯硅烷的蒸汽气氛中蒸镀，再进行烘烤；步骤6，纳米压印：将硅模板和普通薄膜太阳能电池片放入纳米压印机中，进行压印；步骤7，进行薄膜太阳能电池片刻蚀。本发明还提供了通过该方法制备的薄膜太
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114388657 A
(43)申请公布日 2022.04.22
(21)申请号 202111644839.5
(22)申请日 2021.12.29
(71)申请人 南通
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