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本发明公开了一种薄膜太阳能电池片及其制备方法,该方法包含:步骤1,镀铝:在硅衬底上镀一层铝膜并退火;步骤2,制作硅基多孔氧化铝膜;步骤3,硅刻蚀:以硅基多孔氧化铝膜正面为掩膜,对硅衬底进行刻蚀;步骤4,去除掩膜:将硅衬底放入磷酸溶液浸泡,去除剩余的多孔氧化铝膜,得到硅模板;步骤5,防粘处理:将硅模板正面在全氟癸基‑三氯硅烷的蒸汽气氛中蒸镀,再进行烘烤;步骤6,纳米压印:将硅模板和普通薄膜太阳能电池片放入纳米压印机中,进行压印;步骤7,进行薄膜太阳能电池片刻蚀。本发明还提供了通过该方法制备的薄膜太
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114388657 A
(43)申请公布日 2022.04.22
(21)申请号 202111644839.5
(22)申请日 2021.12.29
(71)申请人 南通
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