半导体设备以及用于制造半导体设备的方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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半导体设备以及用于制造半导体设备的方法.pdf

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提供一种半导体设备(1)。所述半导体设备(1)可以具有：第一导电类型的漂移区(11，111，13，14，15)；在所述漂移区(11，111，13，14，15)上的第二导电类型的沟道区(8，108)，其中，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；在所述沟道区(8，108)上的所述第一导电类型的源极区(9，109)；沟槽(5)，所述沟槽形成绝缘栅并且延伸通过所述源极区(9，109)和所述沟道区(8，108)，从而所述沟槽的底部位于所述漂移区(11，111，13，14，15)中；所述第二导电类型的至少

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114402438 A (43)申请公布日 2022.04.26 (21)申请号 202080059711.X (74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司