一种半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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一种半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，包括堆叠层和位于堆叠层上的停止层，停止层具有远离堆叠层的第一表面。该半导体器件还包括贯穿停止层和堆叠层的沟道结构，以及位于停止层的第一表面的共源极层。该沟道结构包括沿第一方向延伸的沟道层和围绕沟道层的存储层，该沟道层具有延伸出所述停止层且未被存储层覆盖的沟道层外接部，共源极层与沟道层外接部连接。停止层作为去掉沟道结构的存储层工艺中的刻蚀阻挡层，能够很好地自动控制存储层的刻蚀工艺，还能增加堆叠层中底部选择栅极到刻蚀阻挡层的距离，进而增加底部选择栅极的抗击穿电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114388525 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202111651185.9 (22)申请日 2021.12.30 (71)申请人长江