网站大量收购闲置独家精品文档,联系QQ:2885784924

单晶氧化镓的制备方法及用于制备单晶氧化镓的工艺设备.pdfVIP

单晶氧化镓的制备方法及用于制备单晶氧化镓的工艺设备.pdf

  1. 1、本文档共13页,其中可免费阅读12页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
  2. 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
  3. 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  4. 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供一种单晶氧化镓的制备方法及用于制备单晶氧化镓的工艺设备。所述单晶氧化镓的制备方法包括:提供氧化镓粉体;将所述氧化镓粉体压成块体氧化镓;提供坩埚,所述坩埚内具有底部容置区和顶部开口区,所述底部容置区和所述顶部开口区间隔;将所述块体氧化镓放入所述底部容置区,在所述顶部开口区放置籽晶;将所述坩埚置于流动的保护气氛中,对所述坩埚进行加热,对所述顶部开口区施加的温度低于所述籽晶的分解温度,对所述底部容置区施加的温度高于所述块体氧化镓的分解温度。本发明加快了氧化镓分解为气体源的速度,进而提高了单晶

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114381800 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202210135660.5 (22)申请日 2022.02.14 (71)申请人 苏州燎塬半导体有限公司

文档评论(0)

知识产权出版社 + 关注
官方认证
服务提供商

提供农业、铸造、给排水、测量、发电等专利信息的免费检索和下载;后续我们还将提供提供专利申请、专利复审、专利交易、专利年费缴纳、专利权恢复等更多专利服务。并持续更新必威体育精装版专利内容,完善相关专利服务,助您在专利查询、专利应用、专利学习查找、专利申请等方面用得开心、用得满意!

认证主体北京中献电子技术开发有限公司
IP属地北京
统一社会信用代码/组织机构代码
91110108102011667U

1亿VIP精品文档

相关文档