半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供初始基底，所述初始基底上具有刻蚀硬掩模和位于所述刻蚀硬掩模上的平坦化材料层；对所述平坦化材料层执行光刻工艺，形成图案化的平坦化层；以所述图案化的平坦化层为掩膜刻蚀所述刻蚀硬掩模，形成图案化的刻蚀硬掩模层；以所述图案化的刻蚀硬掩模层为掩膜刻蚀所述初始基底，形成目标图案。上述的方案，可以提高所形成的半导体结构的性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114388352 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202011134152.2 H01L 27/088 (2006.01)