分栅快闪存储单元及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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分栅快闪存储单元及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种分栅快闪存储单元及其制备方法，包括：衬底；沟槽，位于所述衬底内；源区，位于所述沟槽底部的所述衬底内；源线层，位于所述沟槽内以与所述源区电性连接，且将所述沟槽分隔为两个子沟槽；第一分栅结构和第二分栅结构，均包括由下至上排列的浮栅和控制栅，所述第一分栅结构的浮栅和所述第二分栅结构的浮栅分别填充两个所述子沟槽并延伸覆盖所述衬底的部分表面，且所述浮栅的顶部高于所述源线层；擦除栅，位于所述源线层上；本发明利于分栅快闪存储单元的尺寸缩减。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114388628 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202210038391.0 (22)申请日 2022.01.13 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司